p형에는 정공 농도가 높고 n형에는 depletion 영역이 계속해서 늘어나게 되지만
diffution을 방해하는 electric field가 생성되어 일정 수준에서 diffution이 멈춘다.
Forward bias는 위 반도체의 p쪽에 +전압, n쪽에 -전압을 걸어주는 것 입니다.
p쪽에 +전압, n쪽에 -전압을 걸어주게 되면 depletion region과는 반대방향으로
E-field가 형성될 것이고, 따라서 두 전기장이 서로 상쇄되어 depletion region의 전기장은 감소된다고 볼 수 있습니다.
전기장이 줄어들게 되면 depletion region의 전기장에 의해 diffusion 되지 않던 p형 반도체의 정공과 n형 반도체의 전자가 다시 diffusion되게 되고 diffusion current가 급격하게 증가하며 결국 반도체에 전류가 흐르게 되는 것 입니다.
depletion region의 전기장은 Energy band diagram상에서 junction부분의 기울기 값을 갖는다.
Forward bias를 걸어주면 depletion region의 E-field의 세기를 감소시켜
minority carrier diffusion current를 증가시킨다.
drift current에 대한 변화는 이전의 평형상태와 같이 거의 없다고 볼 수 있으므로 따로 생각하지 않아도 됩니다.
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