Aero-Machine Learning

플라즈마 발생 장치는 굉장히 중요하기 때문에 그 자체로 학문이다. 직류전원 같은 경우 DC 글로우 장치 혹은 Arc 장치등이 있으며 일반적으로는 AC를 많이 사용한다. DC는 스퍼터링이나 라디에이션처럼 특별한 분야에만 사용하는 경우가 많고 RF 플라즈마를 널리 사용한다. DC를 걸면 DC 발생장치가 되고 RF를 걸면 RF 발생 장치가 된다. CCP ICP로 나뉘며 자기장 도움 여부에 따라서도 플라즈마 장치를 구분할 수 있다. 중성 기체 온도와 전자온도가 거의 같으면 열플라즈마라고 부르며 일반적으로는 Non-thermal plasma 이렇게 여러가지 플라즈마 장치로 나뉜다. 전기장이 변하는 시간이 이온이 극판 사이를 움직이는 시간보다 짧게 되면 이온이 극판 내에서 진동하게 되는데 이온 손실이 작아지고 전자..

저번시간 복습 전자라는것은 공기중에도 존재하는데 보통 코스믹 레이에 의해 이온화가 이루어진 상태이다. 이러한 전자의 에너지가 낮은 경우 충돌을 통해서 에너지를 교환하기 어려워서 탄성 충돌만 하게 된다. 전자가속을 통해 비탄성 충돌을 할 수 있다. 플라즈마가 챔버 내에서 전기 에너지로 가속 되면서 충돌하게 된다. 일차 이온화를 알파 프로세스라고 부른다. 이온은 음극으로 가속되는데 음극에 있던 전자들과 부딧히면서 2차 방출이 일어난다. 이를 감마 프로세스라고 부른다. 실험적으로 얻어진 단위길이당 전자의 이온화 횟수 알파 이온화 충돌 횟수에 비례하는 값이다. 알파를 단위 길이당 전자의 이온화 횟수로 생각할 수 있다. 전자의 선속(flux)를 dz 거리를 이동할 때 이온화로 증가되는 선속과 전류밀도라고 할때 감..

논문 핵심 요약 www.youtube.com/watch?v=671BsKl8d0E shortcut connection or skip connection -->추가적인 파라미터는 필요 없다. 앞서 학습했던 정보를 가져오고 그대로 가져오고 추가적으로 F를 더해주겠다는 것이다. 잔여 한 정보인 F만 추가적으로 학습시켜주는 형태 전체를 다 학습하는 경우보다 훨씬 쉽다. H(x)는 개별적으로 학습을 진행할 필요가 있어서 수렴 난이도가 높아지게 된다. 반면에 우측 네트워크는 학습했던 정보를 가져오고 추가적으로 학습이 필요한 부분만 학습시키면 된다. 동일한 답을 도출한다고 하더라도 F를 학습시키는것이 더 쉽다. 매번 새로운 맵핑 값들에 대해서 학습 하는 대신 4. Experiments 1000의 클래스로 구성된 [Im..

진공 챔버가 있고 고진공 챔버가 있어서 플라스마를 발생시키기 위한 장치가 있으면 플라스마 시스템이라고 하며 일반적으로 플라스마는 진공시스템에서 발생한다. 플라스마를 이온화된 기체로 통칭하지만 이온, 중성 기체 분자 등으로 이루어졌다. 전하들로 인하여 쿨롱 법칙에 의하여 전하들이 집단적인 행동을 한다. 전기장을 형성시킨 후 전자를 가속시키고 중성 원자와 충돌시켜서 이온을 발생시키고 이온은 음극으로 가고 이온은 두 번째 이온화를 시킨다. 두 번째 이온화 과정을 거쳐서 다시 플라스마 형성에 기여한다. breakdown:전자가 원자를 이온화시키는 과정 discharge:플라스마를 만드는 과정을 electrical discharge라고 부른다. 디바이 길이는 플라스마 내에 양전하와 음전하들이 존재하는데 서로 차폐..

#include using namespace std; int main() { cout

#include using namespace std; struct MyStruct { string name; int age; }; void display(MyStruct&); int main() { MyStruct PandaCoding = { "Panda", 26, }; display(PandaCoding); return 0; } void display(MyStruct& a) { cout

1.산화막 형성방법과 왜 사용하는지 열 산화막 성장 원리 (딜-그로브 모델) 실리콘-열 산화막 전하 2.확산 공정(diffusion) 확산 개념 확산 공정 방법 및 원리 (현대에는 사용하지 않으나 이온 주입 공정으로 넘어가는 배경을 알기 위해) SiO2를 만드는 여러가지 방법이 있는데 상대적으로 낮은 온도에서 Sio2를 증착시키는 방법이 있는가 하면 상압에서 증착시키는 방법이 있다. 고온에서는 산화막이 '성장'한다는 용어를 사용하고 상압과 저압에서는 '증착'한다는 용어를 사용한다. 웨이퍼 상의 실리콘과 산소와 반응 시켜서 성장시키는것이고 상압과 저압은 표면에서 증착시키는것이다. 열산화막 성장 방법에는 건식산화와 습식산화가 존재한다. 성장 속도는 습식이 건식보다 빠르다. 전기적 특성은 건식이 우수하다. 산..

참조 변수 #include using namespace std; int main() { //참조(reference)란? //미리 정의된 변수의 실제 이름 대신 사용 //함수의 매개변수에 사용 //함수의 매개변수에 구조체를 선언하면 c++은 구조체의 원본이 아니라 복사본에 대해 작업을 한다. //참조를 매개변수로 사용하면 원본의 데이터를 갖고 작업 //구조체의 볼륨이 크면 포인터 대신 참조를 사용하는것이 유리 int a; int& b = a; //주소 연산자인 동시에 참조 연산자이다. //여기서는 데이터형의 식별자로 사용 //참조변수의 방식으로 전달하는것을 참조로 전달한다고 한다. return 0; } 참조를 매개변수로 사용하면 원본의 데이터를 갖고 작업할 수 있다. #include using namesp..

함수의 선언과 종류 #include using namespace std; int main() { /* 함수를 선언하기 위해서 1. 함수 정의 제공 2. 함수 원형 제공 3. 함수 호출 함수의 종류 1. 리턴값이 있는 타입 typename functionName (parameterList) { statement(s); return value; //처음만나는 리턴에서 함수가 종료 된다. } 2. 리턴값이 없는 타입 void functionName(parameterList) { statement(s); return; // 생략될 수 있음 } */ } 함수의 원형 선언 함수의 원형선언 문법 반환타입 SmallNum(매개변수목록); #include using namespace std; int SmallNum(in..

포인터와 메모리 해제 #include using namespace std; int main() { int z = 6; int* y; y = &z; cout